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Emisor térmico estructurado a base de silicio

Resumen:

Se proporciona una fuente de radiación óptica producida a partir de un material semiconductor desordenado, tal como silicio negro. La fuente de radiación óptica incluye un sustrato semiconductor, una estructura semiconductora desordenada grabada en el sustrato semiconductor y un elemento calefactor dispuesto próximo a la estructura semiconductora desordenada y configurado para calentar la estructura semiconductora desordenada a una temperatura a la que la estructura semiconductora desordenada emita radiación infrarroja térmica.

Imágenes

PCT/US2016/041357

estados unidos
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inventor:
Yasser M. Sabry, Diana Khalil, Tarik E. Bourouina, Momen Anwar
cesionario actual:
Sistemas SI Ware SAE SI Ware Systems Inc
Estado:
Allowed
Fecha de estado:
June 26, 2017
dominio:
Sistemas SI Ware SAE SI Ware Systems Inc
aplicaciones en todo el mundo:
2015. us us. 2026. kr au ca wo es ep cn max jp. 2017. us us 2018. il

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